开发至少14纳米工艺和FinFET技术的开发人员是这样认为的-js98886金沙网址

发布时间:2020-12-09    来源:js98886金沙网址 nbsp;   浏览:211次
本文摘要:英特尔、IBM、东芝和三星都在接受14纳米工程,研发工作完成后将尽快实施FinFET量产。因为IBM已经开始从移动IBM转向14纳米节点、绝缘硅(SOI)晶体的FinFET技术。实际上,该公司计划对所有14纳米产品使用SOI决定源,还包括IBM内部使用的服务器处理器和外部获得的ASIC。

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摩尔定律是推动集成电路性能行进的影响力参数。在过去的几十年里,集成电路的数量每两年增加一倍。现在这一步已经被打破了吗?开发至少14纳米工艺和FinFET技术的开发人员是这样认为的。英特尔、IBM、东芝和三星都在接受14纳米工程,研发工作完成后将尽快实施FinFET量产。

FinFET技术是UC伯克利分校的研究人员发明的,有必要带来一些明显的性能提高,包括严格控制阿米克隆级以下的短沟效应,减少短电流。而且,该技术需要将单个晶体管用作多门设备。实验性的栅极充电材料和设备体系结构也会对模拟设备属性产生很大的影响。14纳米工艺本质上更便宜更简单。

技术

因为如果埋了氧化层,就必须停止传递。因为IBM已经开始从移动IBM转向14纳米节点、绝缘硅(SOI)晶体的FinFET技术。实际上,该公司计划对所有14纳米产品使用SOI决定源,还包括IBM内部使用的服务器处理器和外部获得的ASIC。IBM半导体研究中心副总裁加里帕顿(GaryPatton)最近在公共平台技术论坛上说明了SOI比较块型硅(bulksilicon)的优点。

过程复杂性减少了。而且,14纳米的费用问题也已经解决。彻底地说,这意味着14纳米过程阶段的削减已经抵消了SOI决定源的费用。

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(阿尔伯特爱因斯坦,Northern Exposure(美国电视),成功)SOI的额外优点是硬错误发生率很低。IBM已经通过SOI技术开发了DRAM设备。该公司指出,将该技术用作横向设备比较简单的观点非常正确。


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